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Samsung : DDR3 30 nm

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Écrit par Pascal Thevenier   
Mardi, 02 Février 2010 14:57

Alors qu'Intel et Micron ont présenté la première puce de mémoire NAND gravée en 25 nm, Samsung annonce des puces de 256 Mo de DDR3 en 30 nm pour le second semestre. En fonction de la gamme, la tension d'alimentation sera comprise entre 1,35 volt et 1,5 volt (puces à faibles timings). Samsung évoque une réduction de 30% de la consommation par rapport à une puce en 50 nm, ce qui conduit à une consommation moyenne de 3 watts pour une barrette de 4 Go dans un portable. Il faut cependant rappeler que les puces de DDR3 sont produites en 40 nm et plus en 50 nm, ce qui terni un peu la réduction de consommation annoncée...

Mise à jour le Vendredi, 05 Février 2010 14:35