, mevcut diğer bellek teknolojilerinde bulunmayan özellikleri sunmayı vaat eden kalıcı bir bellek olan CeRAM konseptini geliştiren bir şirket olan Cerfe Labs'ın kurulduğunu duyurdu
Enerji olmadığında veri depolayabilen bu yeni kalıcı bellekler, CeRAM (Korelasyonlu Elektron RAM) ve FeFET (ferroelektrik transistör) malzemelerine dayanmaktadır.
ARM, halihazırda bu projede yer alan çalışanları Cerfe Labs'e atayacak ve ikincisi, CeRAM'ın gerçek mucidi olan Colorado Üniversitesi'nden Profesör Carlos Paz de Araújo liderliğindeki bir şirket olan Symetrix Corporation ile anlaşmaya devam edecek. ARM ayrıca CeRAM ile ilgili tüm fikri mülkiyet haklarını (150'den fazla patent ailesi) Cerfe Labs'a devredecek.
Cerfe Labs Organizasyonu
Bir nota göre, Cerfe Labs başlangıçta bu yeni anıların sistemlere teslimini hızlandırmak amacıyla sertifikalandırılacak devrim niteliğindeki prototiplerin üretimine odaklanacak.
ARM CEO'su Simon Segars'a göre araştırma ekibi son 5 yılda CeRAM teknolojisinin ilerlemesinde büyük ilerlemeler kaydetti. Bir sonraki adım geleceğin bu teknolojisini ticarileştirmek olacaktır.
Yeni şirketin merkezi Austin'de olacak ve ARM Research'ün iki eski çalışanı olan Eric Hennenhoefer ve Greg Yeric tarafından yönetilecek. Hennenhoefer, Cerfe Labs'ın CEO'su olacak ve Yeric, CTO (Baş Teknoloji Sorumlusu) rolünü üstlenecek. ARM, Cerfe Labs'taki azınlık hissesini elinde tutacak ve ARM'in Strateji Direktörü Jason Zajac da yönetim kuruluna katılacak.
CeRAM nedir?
Hennenhoefer'e göre CeRAM, bugüne kadar başka hiçbir bellek teknolojisinde bulunmayan özelliklere sahip, sektörün en umut verici kalıcı belleğidir. Bu o kadar umut verici ki, ABD İleri Savunma Araştırma Projeleri Ajansı (DARPA) bile onunla ilgilendi ve ajansın ERI FRANC programı kapsamında yapılan çalışmalar, CeRAM'ler için yeni malzemelerin tanımlanmasına ve bunların yeteneklerinin araştırılmasına yol açtı.
CeRAM'ler, nikel oksit gibi geçiş metal oksitlerindeki metalden yalıtkanlara ve yalıtkanlardan metale durum geçişlerine (Mott geçişleri adı verilir) dayanmaktadır. Bu tür geçişler belirli bir voltaj ve akım yoğunluğunun uygulanmasıyla tetiklenebilir. Cerfe Labs'ın açıkladığı gibi, İlişkili Elektron (CE) anahtarları, güçlü elektron yörünge etkileşimleri yoluyla çalışır; bu, diğer ReRAM türlerinin aksine, bir iletim yolu oluşturmak için bir işleme ihtiyaç duymadıkları anlamına gelir.
CeRAM'ın avantajları
düşük maliyetli hafıza olmasıdır . Üretim basitleştirilebilir. CeRAM ayrıca nanometre altı ölçeklendirme olasılığı ile kimyasal biriktirme veya atomik katman biriktirme gibi daha gelişmiş tekniklerle de üretilebilir. CeRAM ayrıca çok hızlıdır ve testlerde geçişin 2 nanosaniyeden daha kısa sürede gerçekleştiği gösterilmiştir. Çoğu CE malzemesi 100 femtosaniyeden daha kısa sürede geçiş yapar .
Kriyojenik sıcaklıklara kadar veya mevcut diğer teknolojilerden daha yüksek sıcaklıklarda çalışabilir. Bu nedenle çalışma sıcaklıkları açısından herhangi bir kısıtlama yoktur, bu da ona iyi bir kullanım direnci sağlar.
Bellek, 0,6V'den daha düşük voltaj ve düşük akımla çalışır; ayrıca CMOS üretimiyle doğal olarak uyumlu birçok malzemeden yapılabilir, dolayısıyla yüksek sıcaklıklara veya yeni üretim tekniklerine ihtiyaç duymaz. Her türlü üretim sürecine uyum sağlama yeteneğine sahiptir ve çok çeşitli bozulmalara karşı dayanıklıdır. SSD'lerde kullanılan NAND gibi diğer kalıcı belleklerden farklı olarak aşınma göstermez
Gelecekteki uygulamalar için büyük potansiyele sahip bir bellektir: örneğin, mantık devrelerinde SRAM'ın yerini alabilir ve aynı zamanda işlemcilerin mimarisini de etkileyebilir. İnsan beyninden ilham alan nöromorfik mimarilerde olduğu gibi, hesaplamaları kendisi yapmak için de kullanılabilir.
