A ARM anunciou a criação da Cerfe Labs, uma empresa que está desenvolvendo o conceito de CeRAM, uma memória não volátil que promete oferecer recursos não encontrados em nenhuma outra tecnologia de memória atual.
Essas novas memórias não voláteis, capazes de armazenar dados na ausência de energia, são baseadas em materiais CeRAM (Correlated-Electron RAM) e FeFET (transistor ferroelétrico).
A ARM transferirá os funcionários já envolvidos neste projeto para a Cerfe Labs, e a Cerfe Labs dará continuidade ao acordo com a Symetrix Corporation, empresa liderada pelo Professor Carlos Paz de Araújo, da Universidade do Colorado, o verdadeiro inventor do CeRAM. A ARM também transferirá toda a propriedade intelectual relacionada ao CeRAM (mais de 150 famílias de patentes) para a Cerfe Labs.
Organização Cerfe Labs
Segundo uma nota, a Cerfe Labs se concentrará inicialmente na produção de protótipos revolucionários que serão certificados para acelerar a entrega dessas novas memórias aos sistemas.
Segundo Simon Segars, CEO da ARM, a equipe de pesquisa fez progressos significativos no avanço da tecnologia CeRAM nos últimos cinco anos. O próximo passo seria comercializar essa tecnologia do futuro.
A nova empresa terá sede em Austin e será liderada por Eric Hennenhoefer e Greg Yeric, ambos ex-executivos da ARM Research. Hennenhoefer será o CEO da Cerfe Labs e Yeric atuará como CTO (Diretor de Tecnologia). A ARM manterá uma participação minoritária na Cerfe Labs e Jason Zajac, Diretor de Estratégia da ARM, integrará o conselho administrativo.
O que é CeRAM?
Segundo Hennenhoefer, a CeRAM é a memória não volátil mais promissora do setor, com características inéditas em qualquer outra tecnologia de memória até o momento. Ela é tão promissora que até mesmo a DARPA (Agência de Projetos de Pesquisa Avançada de Defesa dos EUA) demonstrou interesse, e o trabalho realizado no âmbito do programa ERI FRANC da agência levou à identificação de novos materiais para CeRAM e ao estudo de suas capacidades.
As tecnologias CeRAM são baseadas em transições de estado metal-isolante e isolante-metal (chamadas transições de Mott) em óxidos de metais de transição, como o óxido de níquel. Essas transições podem ser desencadeadas pela aplicação de uma tensão e densidade de corrente específicas. Como explica a Cerfe Labs, os interruptores de Elétrons Correlacionados (CE) operam por meio de fortes interações orbitais de elétrons, o que significa que não requerem um processo para criar um caminho de condução, ao contrário de outros tipos de ReRAM.
As vantagens do CeRAM
A primeira vantagem reside no seu baixo custo. A produção pode ser simplificada. O CeRAM também pode ser fabricado utilizando outras técnicas mais avançadas, como deposição química ou deposição de camadas atômicas, com a possibilidade de miniaturização em escala subnanométrica. O CeRAM também é muito rápido, com testes demonstrando tempos de comutação inferiores a 2 nanossegundos. A maioria dos materiais CE comuta em menos de 100 femtosegundos.
Ele pode operar em temperaturas criogênicas ou superiores às de outras tecnologias atuais. Portanto, não há limitações em termos de temperatura de operação, o que lhe confere excelente durabilidade.
A memória opera com menos de 0,6 V e baixa corrente, podendo ser fabricada com diversos materiais nativamente compatíveis com a tecnologia CMOS, eliminando assim a necessidade de altas temperaturas ou novas técnicas de fabricação. Ela se adapta a qualquer processo de produção e é resistente a uma ampla gama de perturbações. ela não apresenta desgaste Ao contrário de outras memórias não voláteis, como a memória flash NAND usada em SSDs,
Essa memória possui grande potencial para aplicações futuras: por exemplo, poderia substituir a SRAM em circuitos lógicos, influenciando também a arquitetura de processadores. Poderia ainda ser utilizada para realizar cálculos por si só, como no caso de arquiteturas neuromórficas inspiradas no cérebro humano.
