A ARM anunciou a criação da Cerfe Labs, empresa que desenvolve o conceito de CeRAM , uma memória não volátil que promete oferecer recursos não encontrados em nenhuma outra tecnologia de memória atual.
Estas novas memórias não voláteis, capazes de armazenar dados na ausência de energia , são baseadas em materiais CeRAM (RAM de elétrons correlacionados) e FeFET (transistor ferroelétrico).
A ARM irá ceder funcionários já envolvidos neste projeto ao Cerfe Labs e este último dará continuidade ao assinado com a Symetrix Corporation, empresa liderada pelo professor Carlos Paz de Araújo da Universidade do Colorado, o verdadeiro inventor do CeRAM. A ARM também transferirá toda a propriedade intelectual relacionada ao CeRAM (mais de 150 famílias de patentes) para o Cerfe Labs.
Organização dos Laboratórios Cerfe
Este último, segundo nota, o Cerfe Labs focará inicialmente na produção de protótipos revolucionários que serão certificados com o objetivo de acelerar a entrega dessas novas memórias aos sistemas.
De acordo com Simon Segars, CEO da ARM, nos últimos 5 anos, a equipe de pesquisa fez grandes avanços no avanço da tecnologia CeRAM. O próximo passo seria comercializar esta tecnologia do futuro.
A nova empresa terá sede em Austin e será liderada por Eric Hennenhoefer e Greg Yeric, dois ex-funcionários da ARM Research. Hennenhoefer será CEO da Cerfe Labs e Yeric assumirá a função de CTO (Chief Technology Officer). A ARM manterá uma participação minoritária na Cerfe Labs e Jason Zajac, Diretor de Estratégia da ARM, ingressará no conselho de administração.
CeRAM, o que é?
De acordo com Hennenhoefer, a CeRAM é a memória não volátil mais promissora do setor, com recursos não encontrados em nenhuma outra tecnologia de memória até o momento. É tão promissor que até mesmo a Agência de Projetos de Pesquisa Avançada de Defesa dos EUA (DARPA) se interessou por ele, e o trabalho no âmbito do programa ERI FRANC da agência levou à identificação de novos materiais para CeRAMs e ao estudo de suas habilidades.
CeRAMs são baseados em transições de estado de metal para isolante e de isolante para metal (chamadas de transições de Mott) em óxidos de metais de transição, como o óxido de níquel. Tais transições podem ser desencadeadas pela aplicação de uma certa tensão e densidade de corrente. Como explica o Cerfe Labs, os switches de elétrons correlacionados (CE) funcionam por meio de fortes interações orbitais de elétrons, o que significa que não requerem um processo para criar um caminho de condução, ao contrário de outros tipos de ReRAM.
As vantagens do CeRAM
A primeira vantagem é que se trata de memória de baixo custo . A produção pode ser simplificada. CeRAM também pode ser produzido com outras técnicas mais avançadas, como deposição química ou deposição de camada atômica, com possibilidade de escala subnanométrica. CeRAM também é muito rápido, com testes mostrando comutação em menos de 2 nanossegundos. A maioria dos materiais CE muda em menos de 100 femtossegundos .
Ele pode operar até temperaturas criogênicas ou temperaturas mais altas do que outras tecnologias existentes atualmente. Não existem portanto constrangimentos em termos de temperaturas de funcionamento, o que lhe confere uma boa resistência ao uso.
A memória opera com tensão inferior a 0,6V e baixa corrente, também pode ser feita com diversos materiais nativamente compatíveis com a fabricação de CMOS, portanto não requer altas temperaturas ou novas técnicas de fabricação. Tem a capacidade de se adaptar a qualquer processo de produção e é resistente a uma ampla variedade de perturbações. Ela não apresenta desgaste, ao contrário de outras memórias não voláteis, como NAND usadas em SSDs.
É uma memória com grande potencial para aplicações futuras: por exemplo, poderia substituir a SRAM em circuitos lógicos, afetando também a arquitetura dos processadores. Também poderia ser usado para realizar cálculos propriamente ditos, como no caso de arquiteturas neuromórficas inspiradas no cérebro humano.
