A ARM anunciou a criação da Cerfe Labs, uma empresa que está desenvolvendo o conceito de CeRAM , uma memória não volátil que promete oferecer recursos não encontrados em nenhuma outra tecnologia de memória atual.
Essas novas memórias não voláteis, capazes de armazenar dados na ausência de energia , são baseadas em materiais CeRAM (Correlated-Electron RAM) e FeFET (transistor ferroelétrico).
A ARM transferirá os funcionários já envolvidos neste projeto para a Cerfe Labs, e a Cerfe Labs dará continuidade ao acordo com a Symetrix Corporation, empresa liderada pelo Professor Carlos Paz de Araújo, da Universidade do Colorado, o verdadeiro inventor do CeRAM. A ARM também transferirá toda a propriedade intelectual relacionada ao CeRAM (mais de 150 famílias de patentes) para a Cerfe Labs.
Organização Cerfe Labs
Segundo uma nota, a Cerfe Labs se concentrará inicialmente na produção de protótipos revolucionários que serão certificados para acelerar a entrega dessas novas memórias aos sistemas.
Segundo Simon Segars, CEO da ARM, a equipe de pesquisa fez progressos significativos no avanço da tecnologia CeRAM nos últimos cinco anos. O próximo passo seria comercializar essa tecnologia do futuro.
A nova empresa terá sede em Austin e será liderada por Eric Hennenhoefer e Greg Yeric, ambos ex-executivos da ARM Research. Hennenhoefer será o CEO da Cerfe Labs e Yeric atuará como CTO (Diretor de Tecnologia). A ARM manterá uma participação minoritária na Cerfe Labs e Jason Zajac, Diretor de Estratégia da ARM, integrará o conselho administrativo.
O que é CeRAM?
Segundo Hennenhoefer, a CeRAM é a memória não volátil mais promissora do setor, com características inéditas em qualquer outra tecnologia de memória até o momento. Ela é tão promissora que até mesmo a DARPA (Agência de Projetos de Pesquisa Avançada de Defesa dos EUA) demonstrou interesse, e o trabalho realizado no âmbito do programa ERI FRANC da agência levou à identificação de novos materiais para CeRAM e ao estudo de suas capacidades.
As tecnologias CeRAM são baseadas em transições de estado metal-isolante e isolante-metal (chamadas transições de Mott) em óxidos de metais de transição, como o óxido de níquel. Essas transições podem ser desencadeadas pela aplicação de uma tensão e densidade de corrente específicas. Como explica a Cerfe Labs, os interruptores de Elétrons Correlacionados (CE) operam por meio de fortes interações orbitais de elétrons, o que significa que não requerem um processo para criar um caminho de condução, ao contrário de outros tipos de ReRAM.
As vantagens do CeRAM
A primeira vantagem reside no seu baixo custo . A produção pode ser simplificada. O CeRAM também pode ser fabricado utilizando outras técnicas mais avançadas, como deposição química ou deposição de camadas atômicas, com a possibilidade de miniaturização em escala subnanométrica. O CeRAM também é muito rápido, com testes demonstrando tempos de comutação inferiores a 2 nanossegundos. A maioria dos materiais CE comuta em menos de 100 femtosegundos .
Ele pode operar em temperaturas criogênicas ou superiores às de outras tecnologias atuais. Portanto, não há limitações em termos de temperatura de operação, o que lhe confere excelente durabilidade.
A memória opera com menos de 0,6 V e baixa corrente, podendo ser fabricada com diversos materiais nativamente compatíveis com a tecnologia CMOS, eliminando assim a necessidade de altas temperaturas ou novas técnicas de fabricação. Ela se adapta a qualquer processo de produção e é resistente a uma ampla gama de perturbações. Ao contrário de outras memórias não voláteis, como a memória flash NAND usada em SSDs, ela não apresenta desgaste
Essa memória possui grande potencial para aplicações futuras: por exemplo, poderia substituir a SRAM em circuitos lógicos, influenciando também a arquitetura de processadores. Poderia ainda ser utilizada para realizar cálculos por si só, como no caso de arquiteturas neuromórficas inspiradas no cérebro humano.
