Newsletter

Abonnement
Désabonnement


Articles en rapport

Home News Hardware Intel présente ses transistors 3D en 22 nm

Intel présente ses transistors 3D en 22 nm

Imprimer Envoyer
Note des utilisateurs: / 13
MauvaisTrès bien 
Écrit par Pascal Thevenier   
Jeudi, 05 Mai 2011 09:54
Hier, lors d'une conférence, Intel a présenté officiellement sa technologie de gravure en 22 nm et les premiers transistors 3D. A titre de rappel, un transistor est comme une porte ou un robinet qui est soit ouvert, soit fermé. Dans un transistor, le courant passe ou non entre la source et le drain. Ce passage est commandé par l’état de la porte (gate). Il y a de nombreuses différences entre ces comparaisons simples et un transistor. En effet, un transistor n’est jamais totalement fermé et laisse toujours passer un peu de courant. C’est ce qui s’appelle le « leak » ou les fuites. Jusqu’à l’introduction de la technologie 22 nm, la source et le drain étaient tellement fin qu’ils étaient considérés comme plats. Dans un transistor 3D, ce n’est plus le cas, il possède une hauteur. En anglais, on parle de « fin » c'est-à-dire aileron ou ailette pour évoquer cette hauteur, d’où le nom FinFET (Fin Field Effect Transistor).


Transitor plan et transistor 3D



Transitor plan et transistor 3D

Les transistors 3D ont de très nombreux avantages. En utilisant la troisième dimension, Intel réduit considérablement la largeur nécessaire pour les sources et drains. Ainsi, même avec une finesse de gravure similaire, il est possible de loger plus de transistors 3D que de transistors plans par mm². Contrairement à un transistor plat dont la gate n’agit que sur un plan, le passage entre la source et le drain est maintenant contrôlé sur deux plans. Quand le transistor 3D est fermé, il boque significativement plus de courant et plus rapidement qu’un transistor plan. Les courants de fuite sont donc fortement réduits. Si ce constat semble anodin, il a pourtant des conséquences très importantes. Pour une vitesse de fermeture similaire au 32 nm, il suffit de 0,8 volt au lieu de 1 volt. A tension identique, le transistor 3D peut opérer à une fréquence de 18% (tension similaire) à 37% (basse tension) plus élevée. Au niveau de la conception, Intel a donc deux options extrêmes : réduire la tension de 20% ou augmenter la fréquence jusqu’à 37%. Bien entendu, tous les compromis sont possibles…


Exemples de transistors regroupés


Entre les extrêmes, Intel peut choisir les meilleurs compromis.

Plusieurs transistors 3D peuvent être groupés pour le contrôle de courants plus importants. Contrairement à d’autres technologies qui permettent d’augmenter les performances, les transistors 3D n’induisent un surcoût que de 3% contre ~10% pour d’autres méthodes. Intel a précisé qu’aucun changement des technologies de gravure n’avait apporté jusqu’ici autant d’avantages que le passage du 32 nm au 22 nm avec transistors 3D. Intel va mettre à niveau cinq usines (dont quatre aux Etats-Unis) pour la production en 22 nm : D1C et D1D en Oregon, Fab 12 et Fab 32 en Arizona ainsi que Fab 28 en Israël.
Mise à jour le Mardi, 13 Septembre 2011 09:48