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Changement de phase : la technologie mémoire de tous les superlatifs ?

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Écrit par Pascal Thevenier   
Vendredi, 01 Juillet 2011 11:29
IBM, un des pionniers de l'informatique, annonce un nouveau type de mémoire MLC révolutionnaire. La mémoire à changement de phase (PCM ou PRAM) permet de stocker deux bits dans une cellule. L'état 00, 01, 10 ou 11 est déterminé selon la résistance d'un matériau. Cette mémoire de type Flash (non volatile comme la NAND des SSD) n'a visiblement que des qualités : débits jusqu'à 100x plus importants, plusieurs millions de cycles de lecture/écriture au lieu de quelques milliers et coûts de production contenus.


Le principe de fonctionnement de cette mémoire repose sur la capacité d'un alliage à passer d'un état amorphe à un état cristallin (avec des niveaux intermédiaires : mi-amorphe et mi-cristallin) en fonction la chaleur engendrée par le passage d'un courant électrique. Les quatre stades correspondent au stockage de deux bits soit : 00, 01, 10 et 11. Pour être précis, ce n'est pas la résistance mesurée qui fait figure de référence mais la variation de résistance. En effet, la résistance variant au fil des cycles, mesurer une différence (au lieu d'une valeur absolue) permet de s'affranchir de l'usure dans certaines limites.

IBM estime que la mémoire à changement de phase pourrait être commercialisée dès 2016. Dans un premier temps, notamment en raison des coûts initiaux et des performances de très haut niveau, elle sera réservée à des solutions professionnelles. BigBlue travaille également sur des cellules à huit états capables de stocker 3 bits. Enfin, Intel et Samsung travaillent aussi sur la mémoire à changement de phase...